1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓,。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍,，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值，稱(chēng)為額定通態(tài)平均電流IT,，簡(jiǎn)稱(chēng)額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱(chēng)為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比,，在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),，晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷,。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類(lèi)型：晶閘管有多種類(lèi)型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用,。晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài),。上海進(jìn)口DAWIN韓國(guó)大衛(wèi)模塊

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專(zhuān)為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時(shí)候可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如上圖所當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時(shí),，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò),，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2,。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?。上海進(jìn)口DAWIN韓國(guó)大衛(wèi)模塊讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個(gè)典型應(yīng)用,。

晶閘管模塊基本的用途是可控整流,。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通,。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在,，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早,；UG到達(dá)較晚時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚,。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積),。在電工技術(shù)中,，交流電的半周常被設(shè)定為180度，稱(chēng)為電角,。因此,，在U2的每一個(gè)正半周期中，從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱(chēng)為控制角α,，每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱(chēng)為導(dǎo)通角θ,。顯然，α和θ都用來(lái)表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過(guò)改變控制角度0或?qū)ń莟heta,，可通過(guò)改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來(lái)實(shí)現(xiàn)可控整流器,。

采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無(wú)感電容，接線(xiàn)應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€(xiàn)性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,，抑制過(guò)電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線(xiàn)端還并有硒堆或壓敏電阻等非線(xiàn)性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線(xiàn)性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí),。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。

其產(chǎn)品應(yīng)用于大功率直流開(kāi)關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車(chē)輛調(diào)速等領(lǐng)域,。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車(chē)和地鐵機(jī)車(chē)為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開(kāi)關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來(lái)控制車(chē)輛的速度,。但它有不能平滑起動(dòng)和加速。開(kāi)關(guān)體積大,、壽命短,，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn)。自有了逆導(dǎo)晶閘管,，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制,、調(diào)節(jié)車(chē)速，不*克服了上述缺點(diǎn),，而且還降低了功耗,，提高了機(jī)車(chē)可靠性。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個(gè)硅片上,。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示,。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒年?yáng)極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,，可對(duì)電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的大電流,、高電壓進(jìn)行快速釋放。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達(dá)到1500～2500V正向電流達(dá)400A,。吸收電流達(dá)150A,，關(guān)斷時(shí)間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。晶閘管晶閘管前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài),。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源。1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化,。上海進(jìn)口DAWIN韓國(guó)大衛(wèi)模塊

晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。上海進(jìn)口DAWIN韓國(guó)大衛(wèi)模塊

有三個(gè)不同電極,、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流,，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，而且動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng),、可靠性好。在調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)壓,、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影,。可控硅分為單向的和雙向的,，符號(hào)也不同,。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極,，分別稱(chēng)為陽(yáng)極和陰極,，由中間的P極引出一個(gè)控制極。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽(yáng)極接合,，陽(yáng)極接合或柵極的正向電壓,，但沒(méi)有施加電壓時(shí)，它不導(dǎo)通,，并且同時(shí)連接到陽(yáng)極和柵極的正向電壓反向電壓時(shí),，它將被關(guān)上。一旦開(kāi)啟,，控制電壓有它的作用失去了控制,，無(wú)論控制電壓極性怎么沒(méi)有了，不管控制電壓,，將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷，只有在陽(yáng)極電壓減小到一個(gè)臨界值,，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下，面向側(cè)面有字符)。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),，其傳導(dǎo)電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個(gè)脈沖的極性可以改變時(shí),，其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進(jìn)行控制提供交流電系統(tǒng)負(fù)載。上海進(jìn)口DAWIN韓國(guó)大衛(wèi)模塊

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