場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor,FET）的簡稱,。它屬于電壓型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高,、噪聲小,、功耗低,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等,，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,，現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競爭者。普通晶體管（三極管）是一種電流元件,，工作時(shí),，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，所以被稱為雙極型晶體管,；而場效應(yīng)管（FET）是一種電壓器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流）,，工作時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電,，因此它是單極型晶體管,。場效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號的和放大,，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大,。在某些特殊應(yīng)用方面,，場效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無法替代的,。場效應(yīng)管的電壓放大倍數(shù)大,。MOS場效應(yīng)管用途

MOS場效應(yīng)管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后,，才能摸觸MOSFET的管腳,。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接，使人體與大地維持等電位,。再把管腳分離,，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔,，首先確定柵極,。若某腳與其它腳的電阻都是無限大，驗(yàn)證此腳就是柵極G,。交換表筆重測量,，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次,，黑表筆接的為D極,，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,，S極與管殼接通,，據(jù)此很容易確定S極。(3)．檢驗(yàn)放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空,，黑表筆接D極,，紅表筆接S極，然后用指頭觸摸G極,，表針理應(yīng)較大的偏轉(zhuǎn),。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2,。為區(qū)別之,，可用手分別觸摸G1、G2極,，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)大幅度較大的為G2極,。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場效應(yīng)晶體管在采用時(shí)應(yīng)留意分類,，不能隨心所欲交換,。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，用到時(shí)應(yīng)留意以下準(zhǔn)則：(1).MOS器件出廠時(shí)一般而言裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,，切勿自行隨意拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳聯(lián)接在一起,，或用錫紙包裝,。上海絕緣柵型場效應(yīng)管供應(yīng)商電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。

場效應(yīng)管在過渡層由于沒有電子,、空穴的自由移動(dòng),，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng),。但是此時(shí)漏極-源極間的電場,，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層,。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次，VGS向負(fù)的方向變化,，讓VGS=VGS(off),，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,，將電子拉向漂移方向的電場,，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通,。

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。場效應(yīng)管的尺寸小,，適合集成電路應(yīng)用,。

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。場效應(yīng)管的性能受溫度影響較大,。杭州半導(dǎo)體場效應(yīng)管市場價(jià)

場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。MOS場效應(yīng)管用途

如果我們在上面這個(gè)圖中,將電阻Rc換成一個(gè)燈泡,那么當(dāng)基極電流為0時(shí),集電極電流為0,燈泡滅.如果基極電流比較大時(shí)(大于流過燈泡的電流除以三極管 的放大倍數(shù) β),三極管就飽和,相當(dāng)于開關(guān)閉合,燈泡就亮了.由于電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點(diǎn)就行了,所以就可以用一個(gè)小電流來一個(gè)大電流的通 斷.如果基極電流從0慢慢增加,那么燈泡的亮度也會(huì)隨著增加(在三極管未飽和之極管開關(guān)電路由開關(guān)三極管VT，電動(dòng)機(jī)M,，開關(guān)S,，基極限流電阻器R和電源GB組成。VT采用NPN型小功率硅管8050,，其集電極最大允許電流ICM可達(dá)1.5A,，以滿足電動(dòng)機(jī)起動(dòng)電流的要求。M選用工作電壓為3V的小型直流電動(dòng)機(jī),，對應(yīng)電源GB亦為3V,。MOS場效應(yīng)管用途

本文來自濟(jì)寧晟鵬機(jī)械科技有限公司：http://benfu56.com/Article/0d31899681.html